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China 2Gb F puce de mémoire DRAM dynamique à accès aléatoire mémoire DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA wholesale

2Gb F puce de mémoire DRAM dynamique à accès aléatoire mémoire DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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Numéro de modèle :Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans le catalogue de produits de la catégorie

Lieu d'origine :Kr

Quantité minimale de commande :1

Conditions de paiement :Western Union, T/T

Capacité à fournir :100000

Délai de livraison :5-8day

Détails de l'emballage :R/R

Catalogue de produit :Memory > Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Emballage universel :BGA, FBGA

Règlement ROHS :Conformité

Installation Method :Installation en surface

Température de fonctionnement :0°C à 95°C

Longueur * Largeur * Hauteur :13.3mm*750cm*1.1mm

Grade d'application :qualité marchande

Méthode d'emballage :Palette

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Dynamic Random Access Memory DRAM 2Gb F-die DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA

Spécifications du produit

Attribut	Valeur
Catalogue de produits	Mémoire > Mémoire vive dynamique (DRAM)
Emballage universel	BGA, FBGA
RoHS	Conformité
Méthode d'installation	Installation en surface
Température de fonctionnement	0℃~95℃
Dimensions (L×l×H)	13.3mm × 750cm × 1.1mm
Grade d'application	Grade commercial
Méthode d'emballage	Palette
Tension d'alimentation minimale de fonctionnement	1.425V
Organisation	128Mx16
Largeur du bus de données	16 bits
Type d'interface	SSTL_1.5
Capacité de stockage	256Mb
Courant d'alimentation maximal	134mA
Tension d'alimentation maximale de fonctionnement	1.575V

Détails techniques

Dynamic Random Access Memory DRAM 2Gb F-die DDR3 SDRAM X16 K4B2G1646F-BCMA

Norme JEDEC 1.5v + 0.075V Alimentation
VDoo = 1.5V + 0.075V
400 MHz fcx pour 800Mb/sec/pin, 533MHz fck pour 1066Mb/sec/pin, 667MHz fck pour 1333Mb/sec/pin, 800MHz fck pour 1600Mb/sec/pin, 933MHz fck pour 1866Mb/sec/pin, 1066MHz fck pour 2133Mb/sec/pin
8 banques
Latence CAS programmable (CAS posté) : 5,6,7,8,9,10,11,13,14
Latence additive programmable : 0, CL-2 ou horloge CL-1
Latence d'écriture CAS programmable (CWL)=5(DDR3-800),6(DDR3-1066),7(DDR3-1333),8(DDR3-1600),9(DDR3-1866),10(DDR3-2133)
Pré-extraction 8 bits
Longueur de rafale : 8 (entrelacement sans limite, séquentiel avec l'adresse de départ "000" uniquement), 4 avec tCCD = 4 qui ne permet pas une lecture ou une écriture transparente
Stroboscope de données différentiel bidirectionnel
La DDR3 SDRAM F-die de 2 Go est organisée en un dispositif de 16 Mbits x 16 E/S x 8 banques
Terminaison interne (auto) d'étalonnage sur la puce utilisant la broche ODT
Réinitialisation asynchrone
Boîtier : 96 billes FBGA-x16
Tous les produits sans plomb sont conformes à la directive RoHS
Tous les produits sont sans halogène

Images du produit

2Gb F puce de mémoire DRAM dynamique à accès aléatoire mémoire DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Emballage et transport

Emballage d'exportation standard
Les clients peuvent choisir parmi des cartons, des caisses en bois et des palettes en bois en fonction de leurs besoins

Foire aux questions

1. Comment obtenir le prix ?

Nous citons généralement dans les 24 heures suivant la réception de votre demande (sauf week-ends et jours fériés). Si vous avez un besoin urgent d'un prix, veuillez nous contacter directement pour une réponse plus rapide.

2. Quel est votre délai de livraison ?

Généralement 7 à 15 jours pour les petits lots, environ 30 jours pour les grands lots, selon la quantité commandée et la saison.

3. Quelles sont vos conditions de paiement ?

Prix d'usine, acompte de 30 %, paiement de 70 % T/T avant expédition.

4. Quel est le mode de transport ?

Disponible par mer, air ou livraison express (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX, etc.). Veuillez confirmer avec nous avant de commander.

5. Comment aidez-vous notre entreprise à établir une relation à long terme ?

Nous maintenons une bonne qualité et des prix compétitifs pour assurer les avantages des clients. Nous respectons chaque client et valorisons les relations commerciales à long terme.

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