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Effet de champ de protection du N-canal 12V ESD de CSD13381F4 DQ XFDFN-3 MOS Transistor
| Attributs | valeur de paramètre | |
|---|---|---|
| Catalogue de produit | Transistor à effet de champ (transistor MOSFET) | |
| type | - | |
| Tension de Drain-source (Vdss) | - | |
| Courant continu de drain (identification) | - | |
| Puissance (palladium) | - | |
| Sur-résistance @Vgs (du RDS (dessus), identification) | - | |
| Tension de seuil @Id (de Vgs (Th)) | - | |
| Charge de porte (Qg@Vgs) | - | |
| Capacité d'entrée (Ciss@Vds) | - | |
| Capacité inverse de transfert (Crss@Vds) | - |
|