ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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Transistor à haute tension MMBT5551 d'amplificateur d'usage universel du silicium NPN

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Transistor à haute tension MMBT5551 d'amplificateur d'usage universel du silicium NPN

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Number modèle :MMBT5551
Quantité d'ordre minimum :10 PCs
Conditions de paiement :T/T
Capacité d'approvisionnement :1kk/months
Délai de livraison :1-7 jours
Détails de empaquetage :Carton
Description :Transistors bipolaires - BJT SOT23, NPN, 0.6A, 160V, HighVolt
TYPE :Transistors bipolaires - BJT
Nom :Transistors
Numéro de la pièce :MMBT5551
Paquet :SOT-23-3
Commande :Accueil
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2N5551 / 硅 du 高压晶体管 NPN du 通用放大器 MMBT5550LT1 de MMBT5551 NPN

SOT-23 - Transistor de puissance et DarliCM GROUPons

Numéro de la pièce

BC807-T CMBTA56-T CMBT4403-T CMBTA06 CMBT3906-T CMBT3906 CMBTA56 CMBTA42-T CMBT4401-T
CMBTA42 CMBT3904 CMBT4403 CMBTA92 CMBT5551 CMBT5401 CMBT5551-T CMBT3904-T CMBTA92-T
CMBTA06-T CMBT5401-T CMBT4401 CMBT9014 MMBT5551

Caractéristiques électriques

Mfr. #

MMBT5551

Montage du style SMD/SMT
Polarité de transistor NPN
Configuration Simple
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum 160 V
Tension de collecteur-base VCBO 180 V
Tension basse VEBO d'émetteur 6 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur 0,2 V
Courant de collecteur maximum de C.C 0,6 A
Palladium - dissipation de puissance 325 mW
Produit pi de largeur de bande de gain 300 mégahertz
Température de fonctionnement minimum - 55 C
Température de fonctionnement maximum + 150 C
Collecteur de C.C/minute de référence de hfe de gain 80 à 10 mA, 5 V
HFE de gain actuel de C.C maximum 250 à 10 mA, 5 V
Type de produit BJTs - transistors bipolaires

Caractéristiques électriques (aux ventres =°C 25 sauf indication contraire)

Inquiry Cart 0