Les capteurs de température de la CAHT de DRV5053OAQDBZR embarquent le bâti Hall Effect/capteurs magnétiques 2.5-38V Dig Latch Hall Sensor

Les capteurs de température de la CAHT de DRV5053OAQDBZR embarquent le bâti Hall Effect/capteurs magnétiques 2.5-38V Dig Latch Hall Sensor

Caractéristiques 1

• Sortie linéaire Hall Sensor

• Stabilité de température supérieure
– Sensibilité ±10% au-dessus de la température

• Options élevées de sensibilité :

• – – 23 mV/mT (PA)

  • – – 45 mV/mT (RA)

  • – – 90 mV/mT (VA)

  • – +23 mV/mT (CA)

  • – +45 mV/mT (ea)

• Soutient un grand choix de tension

  – 2.5to38V

– Aucun régulateur externe n'a exigé • Grand choix de température de fonctionnement

– 2.3-mA évier, source de 300 μA

• Tension de sortie : 0,2 | 1,8 V

  – B=0mT, OUT=1V

• Jeûnez Puissance-sur : 35 μs

• Petit paquet et empreinte de pas

– Bâti extérieur 3-Pin SOT-23 (DBZ) – 2,92 millimètres de × 2,37 millimètres

– À travers-trou 3-Pin TO-92 (LPG) – 4,00 millimètres de × 3,15 millimètres

Caractéristiques de protection

• – Protection inverse d'approvisionnement (jusqu'à – 22 V)

• – Appuis jusqu'à la décharge de la charge 40-V

• – Protection de court-circuit de sortie

• – Limitation de courant de sortie

2 applications

• Compteurs de débit
• Accouplement de l'ajustement • Correction de vibration

• Des contrôles plus humides

Description 3

Le dispositif DRV5053 est un Hall couperet-stabilisé IC qui offre une solution de détection magnétique avec la stabilité supérieure de sensibilité au-dessus de la température et des caractéristiques de protection intégrées.

Le 0 - à la sortie analogique 2-V répond linéairement à la densité de flux magnétique appliquée, et distingue la polarité de la direction de champ magnétique. Un grand choix de tension d'opération de 2,5 à 38 V avec la protection inverse de polarité jusqu'à – 22 V rendent le dispositif approprié à un large éventail d'applications industrielles et du consommateur.

Des fonctions internes de protection sont données pour les états d'approvisionnement, la décharge de charge, et le court-circuit ou la surintensité inverse de sortie.

L'information de dispositif