ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Transistor de transistor MOSFET de la Manche de 2N7002LT1G N, 115mA Mos Field Effect Transistor

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Number modèle :2N7002LT1G
Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous
Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT
Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour
Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds
Détails de empaquetage :SOT23-3
Description :Bâti 225mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (comité technique) SOT-23-3 (TO-236)
Type de produit :Transistor MOSFET
Sous-catégorie :Transistors MOSFET
Température de fonctionnement minimum :- 55 C
Température de fonctionnement maximum :+ 150 C
Le RDS sur - la résistance de Drain-source :7,5 ohms
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :1V
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N-canal du transistor MOSFET 60V 115mA de transistor de puissance du transistor MOSFET 2N7002LT1G

Caractéristiques

• préfixe 2V pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC−Q101 a qualifié et PPAP capable (2V7002L)

• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS conforme

ESTIMATIONS MAXIMUM

Estimation

Symbole

Valeur

Unité

Tension de Drain−Source

VDSS

60

Volts continu

Tension de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW)

VDGR

60

Volts continu

Vidangez actuel
− continu comité technique = 25°C (− de note 1) continu comité technique = 100°C (− de note 1) pulsé (note 2)

Identification

IDENTIFICATION IDM

± 800 du ± 75 du ± 115

mAdc

Tension de Gate−Source
− continu
− Non−repetitive (Mme de ≤ 50 de tp)

VGS VGSM

± 40 du ± 20

Volts continu Vpk

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES

Caractéristique

Symbole

Maximum

Unité

Panneau total de la dissipation FR−5 de dispositif (VENTRES de note 3) = 25°C
Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

Résistance thermique, Junction−to−Ambient

Palladium RqJA

225 1,8 556

mW mW/°C °C/W

Dissipation totale de dispositif
(Substrat d'alumine de note 4), MERCI = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C

Résistance thermique, Junction−to−Ambient

Palladium RqJA

300 2,4 417

mW mW/°C °C/W

Jonction et température de stockage

TJ, Tstg

− 55 +150

°C

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