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N-canal du transistor MOSFET 60V 115mA de transistor de puissance du transistor MOSFET 2N7002LT1G
Caractéristiques
• préfixe 2V pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des conditions uniques de rupture de site et de contrôle ; AEC−Q101 a qualifié et PPAP capable (2V7002L)
• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS conforme
ESTIMATIONS MAXIMUM
Estimation |
Symbole |
Valeur |
Unité |
Tension de Drain−Source |
VDSS |
60 |
Volts continu |
Tension de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW) |
VDGR |
60 |
Volts continu |
Vidangez actuel |
Identification IDENTIFICATION IDM |
± 800 du ± 75 du ± 115 |
mAdc |
Tension de Gate−Source |
VGS VGSM |
± 40 du ± 20 |
Volts continu Vpk |
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
Caractéristique |
Symbole |
Maximum |
Unité |
Panneau total de la dissipation FR−5 de dispositif (VENTRES de note 3) = 25°C Résistance thermique, Junction−to−Ambient |
Palladium RqJA |
225 1,8 556 |
mW mW/°C °C/W |
Dissipation totale de dispositif Résistance thermique, Junction−to−Ambient |
Palladium RqJA |
300 2,4 417 |
mW mW/°C °C/W |
Jonction et température de stockage |
TJ, Tstg |
− 55 +150 |
°C |