ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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De CSD87312Q3E de transistor MOSFET de puissance de transistor doubles 30V N-CH NexFET PWR transistors MOSFET du transistor MOSFET
CARACTÉRISTIQUES
APPLICATIONS
RÉSUMÉ DE PRODUIT
|
VENTRES = 25°C |
VALEUR TYPIQUE |
UNITÉ |
||
|
VDS |
Vidangez à la tension de source |
30 |
V |
|
|
Qg |
Total de charge de porte (4.5V) |
6,3 |
OR |
|
|
Qgd |
Porte de charge de porte à vidanger |
0,7 |
OR |
|
|
RDD (dessus) |
Vidangez pour vidanger sur la résistance (Q1+Q2) |
VGS = 4.5V |
31 |
mΩ |
|
VGS = 8V |
27 |
mΩ |
||
|
VGS (Th) |
Tension de seuil |
1,0 |
V |
|
L'INFORMATION DE COMMANDE
|
Dispositif |
Paquet |
Médias
|
Quantité |
Bateau |
|
CSD87312Q3E |
FILS paquet en plastique de 3,3 x de 3.3mm |
13-dans la bobine de ch |
2500 |
Bande et bobine |
CAPACITÉS ABSOLUES
|
VENTRES = 25°C |
VALEUR |
UNITÉ |
|
|
VDS |
Vidangez à la tension de source |
30 |
V |
|
VGS |
Porte à la tension de source |
+10/-8 |
V |
|
Identification |
(1) courant continu de drain, comité technique = 25°C |
27 |
|
|
IDM |
Courant pulsé de drain (2) |
45 |
|
|
Palladium |
Dissipation de puissance |
2,5 |
W |
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TJ, TSTG |
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage |
– 55 à 150 |
°C |
|
EAS |
Énergie d'avalanche, identification simple =24A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion |
29 |
MJ |
DESCRIPTION
Le CSD87312Q3E est 30V une commun-source, double dispositif de N-canal conçu pour la protection d'entrée d'adaptor/USB. Ce FILS dispositif de 3,3 x de 3.3mm a le bas drain pour vidanger la sur-résistance qui réduit au maximum des pertes et offre le bas nombre de composants pour des applications de chargement de batterie de multi-cellule contraintes parespace.