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China Conducteur Circuit, transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD25402Q3A 650 système mv de transistor MOSFET de puissance élevée wholesale

Conducteur Circuit, transistors de transistor MOSFET de puissance de CSD25402Q3A 650 système mv de transistor MOSFET de puissance élevée

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Number modèle :CSD25402Q3A

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :VDFN8

Description :Transistor MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON

Mode de la Manche :Amélioration

Configuration :Simple

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 125 C

Th de Vgs - seuil Voltag de Porte-source :650 système mv

Le RDS sur - la résistance de Drain-source :8,9 mOhms

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Transistor MOSFET du transistor MOSFET P-CH PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD25402Q3A

Caractéristiques 1

Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Le bas RDS (dessus)
Pb et halogène libres
RoHS conforme
FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres

2 applications

Convertisseurs de DC-DC
Gestion de batterie
Commutateur de charge
Protection de batterie

Description 3

Ce – 20-V, transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de 7,7 mΩ est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de gestion de charge de conversion de puissance avec un FILS 3,3 millimètres de × le paquet de 3,3 millimètres qui offre une excellente représentation thermique pour la taille du dispositif.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C		VALEUR TYPIQUE		UNITÉ
VDS	tension de Drain-à-source	– 20		V
Qg	Total de charge de porte (– 4,5 V)	7,5		OR
Qgd	Porte de charge de porte à vidanger	1,1		OR
Le RDS (dessus)	Drain-à-source sur la résistance	VGS = – 1,8 V	74	mΩ
		VGS = – 2,5 V	13,3	mΩ
		VGS = – 4,5 V	7,7	mΩ
Vth	Tension de seuil	– 0,9		V

L'information de commande (1)

DISPOSITIF	Quantité	MÉDIAS	PAQUET	BATEAU
CSD25402Q3A	2500	bobine 13-Inch	FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres	Bande et bobine
CSD25402Q3AT	250	bobine 7-Inch		Bande et bobine

Capacités absolues

VENTRES = 25°C		VALEUR	UNITÉ
VDS	tension de Drain-à-source	– 20	V
VGS	tension de Porte-à-source	+12 ou – 12	V
Identification	Courant continu de drain, comité technique = 25°C	– 76
	Courant continu de drain (limite de paquet)	– 35
	Courant continu de drain (1)	– 15
IDM	Courant pulsé de drain (2)	– 148
Palladium	Dissipation de puissance (1)	2,8	W
Palladium	Dissipation de puissance, comité technique = 25°C	69	W
TJ	La température de jonction fonctionnante	– 55 à 150	°C
Tstg	Température de stockage	– 55 à 150	°C

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