Catégories de produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

[30]

Unité de microcontrôleur de MCU

[157]

Composants électroniques

[279]

Contacter

ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

Coordonnées du contact

Contacter

Circuits de transistor de transistor MOSFET de la vitesse FDC3535 rapide, circuit de commande de moteur de transistor MOSFET

Demander le dernier prix

Chaîne vidéo

Number modèle :FDC3535

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :SOT23-6

Description :Transistor MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6

Poids spécifique :0,001270 onces

Type de produit :Transistor MOSFET

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

Configuration :Simple

Palladium - dissipation de puissance :1,6W

Contacter

Add to Cart

Voir la description du produit

Transistor MOSFET de transistor MOSFET de transistor de puissance du transistor MOSFET FDC3535 ; -80V P-Chan PowerTrench

Caractéristiques

MaxrDS (dessus) =183mΩatVGS =-10V, identification =-2.1A
MaxrDS (dessus) =233mΩatVGS =-4.5V, identification =-1.9A
Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (dessus)
Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle dans un paquet extérieur très utilisé de bâti
Vitesse de changement rapide
100% UIL examiné
RoHS conforme

Description générale

Ce transistor MOSFET de P-canal est produit utilisant le processus avancé de ® de fossé de la puissance du semi-conducteur de Fairchild qui a été optimisé pour le RDS (dessus), la représentation et la rugosité de changement.

Applications

Commutateur de charge
Redresseur synchrone

Inquiry Cart 0