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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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China Circuit de commutateur de transistor MOSFET de la puissance élevée P de FDS6681Z, conducteur Circuit de transistor MOSFET de la Manche de P wholesale

Circuit de commutateur de transistor MOSFET de la puissance élevée P de FDS6681Z, conducteur Circuit de transistor MOSFET de la Manche de P

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Number modèle :FDS6681Z

Quantité d'ordre minimum :Contactez-nous

Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :SOP8

Description :Bâti 2.5W (merci) extérieur du P-canal 30 V 20A (ventres) 8-SOIC

Poids spécifique :0,004586 onces

Type de produit :Transistor MOSFET

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

Nombre de canaux :1 canal

Polarité de transistor :P-canal

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Transistor MOSFET de PowerTrench de P-canal du transistor MOSFET 30V de transistor de puissance de transistor MOSFET de FDS6681Z

Caractéristiques de description générale

Ce transistor MOSFET de P-canal est produit utilisant le processus avancé de PowerTrench® du semi-conducteur de Fairchild qui a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état.

Ce dispositif est bien adapté pour la gestion de puissance et les applications de changement de charge communes dans les ordinateurs portables et les paquets portatifs de batterie.

Caractéristiques
• Gamme prolongée de VGSS (– 25V) pour des applications de batterie

• Niveau de protection de HBM ESD de 8kV typique (note 3) • Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement

le bas RDS (DESSUS)
• Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle
• TerminationisLead-freeandRoHSCompliant

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