Résistance thermique très réduite de Circuit NCh NexFET PWR de conducteur de moteur de transistor MOSFET de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg basse

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Number modèle :CSD17308Q3

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Conditions de paiement :Paypal, Western Union, TTT

Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :SON8

Mode de la Manche :Amélioration

Configuration :Simple

Température de fonctionnement minimum :- 55 C

Température de fonctionnement maximum :+ 150 C

CSD17308Q3 :3,9 OR

Vgs - tension de Porte-source :8 V

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Transistor MOSFET du transistor MOSFET 30V NCh NexFET PWR de transistor de puissance de transistor MOSFET de CSD17308Q3 CSD17308Q3T

Caractéristiques 1

Optimisé pour la commande de la porte 5-V
Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Avalanche évaluée
Électrodéposition terminale libre de Pb
RoHS conforme
Halogène libre
VSON 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres

2 applications

Point de carnet de charge
Mâle synchrone de Point-de-charge dans la mise en réseau, les télécom, et les systèmes de calcul

Description 3

Ce 30-V, 8,2 mΩ, 3,3 transistor MOSFET de puissance du millimètre VSON NexFETTM du × 3,3 de millimètre est conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de conversion de puissance et optimisé pour des applications d'entraînement de la porte 5-V.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C		VALEUR		UNITÉ
VDS	tension de Drain-à-source	30		V
Qg	Total de charge de porte (4,5 V)	3,9		OR
Qgd	Porte de charge de porte à vidanger	0,8		OR
Le RDS (dessus)	Drain-à-source sur la résistance	VGS = 3 V	12,5	mΩ
		VGS = 4,5 V	9,4	mΩ
		VGS = 8 V	8,2	mΩ
VGS (Th)	Tension de seuil	1,3		V

L'information de commande

DISPOSITIF	Quantité	MÉDIAS	PAQUET	BATEAU
CSD17308Q3	2500	bobine 13-Inch	FILS 3,3 millimètres de × paquet en plastique de 3,3 millimètres	Bande et bobine

Capacités absolues

VENTRES = 25°C sauf indication contraire		VALEUR	UNITÉ
VDS	tension de Drain-à-source	30	V
VGS	tension de Porte-à-source	+10/– 8	V
Identification	Courant continu de drain (Package Limited)	50
	Courant continu de drain, comité technique = 25°C	44
	Courant continu de drain (1)	14
IDM	Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2)	167
Palladium	Dissipation de puissance (1)	2,7	W
Palladium	Dissipation de puissance, comité technique = 25°C	28	W
TJ, Tstg	Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage	– 55 à 150	°C
EAS	Énergie d'avalanche, identification simple =36A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion	65	MJ

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Résistance thermique très réduite de Circuit NCh NexFET PWR de conducteur de moteur de transistor MOSFET de CSD17308Q3 CSD17308Q3T Qg basse

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation d'IGBT

L'amplificateur IC ébrèche

Puces électroniques d'IC

Composants électroniques

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