Transistor MOSFET 12V 9.3mohm de puissance du transistor MOSFET N-CH d'horloge de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD13202Q2

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Number modèle :CSD13202Q2

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Capacité d'approvisionnement :50000 morceaux par jour

Délai de livraison :Les marchandises seront embarquées d'ici 3 jours ont par le passé reçu des fonds

Détails de empaquetage :WSON-6

Vgs - tension de Porte-source :4,5 V

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source :580 système mv

Le RDS sur - la résistance de Drain-source :9,3 mOhms

Identification - Courant continu de drain :A 14,4

Vds - tension claque de Drain-source :12 V

Qg - charge de porte :5,1 OR

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Transistor MOSFET 12V 9.3mohm de puissance du transistor MOSFET N-CH d'horloge de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD13202Q2

Caractéristiques 1

Qg et Qgd très réduits
Basse résistance thermique
Avalanche évaluée
Électrodéposition terminale sans plomb
RoHS conforme
Halogène libre
FILS 2 millimètres de × paquet en plastique de 2 millimètres

2 applications

Optimisé pour des applications de commutateur de charge
Stockage, Tablettes, et dispositifs tenus dans la main
Optimisé pour des applications de FET de contrôle
Point de charge Buck Converters synchrone

Description 3

Ce 12-V, transistor MOSFET de puissance de NexFETTM de 7,5 mΩ a été conçu pour réduire au maximum des pertes dans des applications de gestion de conversion et de charge de puissance. Représentation thermique d'offres du × 2 du FILS 2 l'excellente pour la taille du paquet.

Résumé de produit

VENTRES = 25°C		VAUE TYPIQUE		UNITÉ
VDS	Tension de Drain-à-source	12		V
Qg	Total de charge de porte (4,5 V)	5,1		OR
Qgd	Porte-à-drain de charge de porte	0,76		OR
Le RDS (dessus)	Sur-résistance de Drain-à-source	VGS = 2,5 V	9,1	mΩ
		VGS = 4,5 V	7,5
VGS (Th)	Tension de seuil	0,8		V

L'information de dispositif

DISPOSITIF	MÉDIAS	Quantité	PAQUET	BATEAU
CSD13202Q2	bobine 7-Inch	3000	FILS 2,00 millimètres de × paquet en plastique de 2,00 millimètres	Bande et bobine

Capacités absolues

VENTRES = 25°C		VALEUR	UNITÉ
VDS	Tension de Drain-à-source	12	V
VGS	Tension de Porte-à-source	±8	V
Identification	Courant continu de drain (limite de paquet)	22
Identification	Courant continu de drain (1)	14,4
IDM	Courant pulsé de drain, MERCI = 25°C (2)	76
Palladium	Dissipation de puissance (1)	2,7	W
TJ, TSTG	Jonction fonctionnante, température de stockage	– 55 à 150	°C
EAS	Énergie d'avalanche, identification simple =20A, L=0.1mH, RG =25Ω d'impulsion	20	MJ

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Transistor MOSFET 12V 9.3mohm de puissance du transistor MOSFET N-CH d'horloge de transistor de puissance du transistor MOSFET CSD13202Q2

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