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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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Transistor de transistor MOSFET de la Manche d'IRF9540NPBF P, transistor de commutation rapide de 100V 23A

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Number modèle :IRF9540NPBF

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :100000pcs

Délai de livraison :1-3days

Détails de empaquetage :BOÎTE

Description :P-canal 100 V 23A (comité technique) 140W (comité technique) par le trou TO-220AB

Série :Transistor de transport d'IMMERSION

Application :Général de circuit de puissance

Paquet :Par le trou TO-220

Tension :100V

Qualité :Technologie transformatrice avancée

Actuel :23A

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Puissance élevée de transistor MOSFET de transistor de commutation de la Manche IRF9540NPBF TO-220 100V 23A de P

Description

La cinquième génération HEXFET s de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le D-PAK est conçu pour le support extérieur utilisant la phase vapeur, l'infrarouge, ou les techniques de soudure de vague. La version droite d'avance (série d'IRFU) est pour l'à travers-trou montant des applications. Les niveaux de dissipation de puissance jusqu'à 1,5 watts sont possibles dans des applications extérieures typiques de bâti.

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