Carte électronique de PIC16F917-I/PT, puces et circuits intégrés

Offre courante (vente chaude)

PIC16F913/914/916/917/946

28/40/44/64-Pin basé sur éclair,

microcontrôleurs à 8 bits de CMOS avec le conducteur d'affichage à cristaux liquides et la technologie de nanowatt

Unité centrale de traitement de RISC performante :

• Seulement 35 instructions d'apprendre :

- Toutes les instructions de simple-cycle excepté des branches

• Vitesse de fonctionnement :

- C.C – entrée d'oscillateur/horloge de 20 mégahertz

- C.C – cycle d'instruction de 200 NS

• Capacité lue par mémoire de programme (PMR)

• Capacité d'interruption

• 8 piles de matériel profondes de niveau

• Modes d'adressage direct, indirect et relatif

Caractéristiques spéciales de microcontrôleur :

• Oscillateur interne de précision :

- Calibré à l'usine à ±1%, typique

- Plage de fréquence sélectionnable de logiciel de 8 mégahertz à 125 kilohertz

- Logiciel réglable

- Mode de démarrage à deux vitesses

- Échouer externe d'oscillateur détecter pour des applications critiques

- Mode d'horloge commutant lors du fonctionnement pour l'épargne de puissance

• Oscillateur interne sélectionnable de 31 kilohertz de logiciel

• Mode de sommeil de Puissance-économie

• Grand choix de tension de fonctionnement (2.0V-5.5V)

• Température ambiante industrielle et prolongée

• Puissance-sur la remise (POR)

• Minuterie du cycle initial (PWRT) et minuterie de démarrage d'oscillateur (OST)

• Remise d'arrêt partiel (BOR) avec l'option de contrôle de logiciel

• L'horloge de surveillance à faible intensité augmentée (WDT) avec l'oscillateur de sur-puce (secondes nominales sélectionnables de logiciel 268 avec le plein prescaler) avec le logiciel permettent

• Maître multiplexé clair avec la goupille cabreuse/entrée

• Protection programmable de code

• Cellule de la Haut-résistance Flash/EEPROM :

- 100 000 écrivent la résistance instantanée

- 1 000 000 écrivent la résistance d'EEPROM

- Conservation instantanée/données EEPROM : > 40 ans

Caractéristiques de basse puissance :

• Courant de réserve :

- <100 nA="">

• Actuel d'opération :

- μA 11 @ 32 kilohertz, 2.0V, typique

- μA 220 @ 4 mégahertz, 2.0V, typique

• Courant d'horloge de surveillance :

- 1 μA @ 2.0V, typique

Caractéristiques périphériques :

• Module liquide de Crystal Display :

- Jusqu'à 60/96/168 capacité d'entraînement de pixel sur les dispositifs 28/40/64-pin, respectivement

- Quatre terrains communaux

• Goupilles de jusqu'à 24/35/53 entrée-sortie et 1 borne réservée à l'entrée :

- Source à forte intensité/évier pour la commande directe de LED

- goupille d'Interruption-sur-changement

- Traction-UPS faible individuellement programmable

• Programming™ périodique en circuit (ICSP™) par l'intermédiaire de deux bornes

• Module analogue de comparateur avec :

- Deux comparateurs analogues

- Module programmable de la référence de tension de sur-puce (CVREF) (% de VDD)

- Entrées et sorties de comparateur extérieurement accessibles

• Convertisseur d'A/D :

- résolution mordue par 10 et jusqu'à 8 canaux

• Timer0 : minuterie/compteur à 8 bits avec le prescaler programmable à 8 bits

• Timer1 augmenté :

- minuterie/compteur de 16 bits avec le prescaler

- Porte Timer1 externe (compte permettre)

- Option pour employer OSC1 et OSC2 en tant qu'oscillateur Timer1 si le mode d'INTOSCIO ou de LP est choisi

• Timer2 : minuterie/compteur à 8 bits avec le registre, le prescaler et le postscaler à 8 bits de période

• Récepteur -émetteur asynchrone synchrone universel accessible (AUSART)

• Jusqu'à 2 capturent, comparent, des modules de PWM :

- capture de 16 bits, résolution maximale NS 12,5

- de 16 bits comparez, la résolution maximale 200 NS

- 10 ont mordu PWM, fréquence maximale 20 kilohertz

• Porte série synchrone (SSP) avec I2C™

Capacités absolues (†)

Température ambiante sous la polarisation ......................................................................... - 40° à +125°C

Température de stockage ...................................................................................... -65°C à +150°C

Tension sur VDD en ce qui concerne VSS ................................................................. -0.3V à +6.5V

Tension sur MCLR en ce qui concerne Vss ............................................................. -0.3V à +13.5V

Tension sur toutes autres goupilles en ce qui concerne VSS ........................................... -0.3V à (VDD + 0.3V)

Dissipation de puissance totale (1) ........................................................................................... 800 mW

Courant maximum hors de goupille de VSS ................................................................................... 95 mA

Courant maximum dans la goupille de VDD ..................................................................................... 95 mA

Courant de bride d'entrée, IIK (VI< 0="" or="" V=""> je > VDD) ................................................................... ±20 mA

Courant de bride de sortie, IOK (Vo < 0="" or="" Vo="">VDD) .............................................................. ±20 mA

Courant de sortie maximum descendu par toute goupille d'entrée-sortie ................................................................... 25 mA

Courant de sortie maximum originaire par toute goupille d'entrée-sortie .............................................................. 25 mA

Courant maximum originaire par tous les ports (combinés) ........................................................... 90 mA

Courant maximum descendu par tous les ports (combinés) ................................................................ 90 mA

Note 1 : La dissipation de puissance est calculée comme suit : PDIS = VDD X {IDD – ∑ IOH} + ∑ {(VDD – VOH) x IOH} + ∑ (vol. X IOL).

2 : PORTD et PORTE ne sont pas mis en application dans des dispositifs PIC16F913/916.

AVIS de † : Les efforts au-dessus de ceux énumérés sous « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une estimation d'effort seulement et l'opération fonctionnelle du dispositif à ceux ou de toutes les autres conditions au-dessus de ceux a indiqué dans les listes d'opération de ces spécifications n'est pas impliquée. L'exposition aux conditions de évaluation de maximum pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.