ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Redresseur intrinsèque rapide de changement du transistor IXFH60N50P3 de transistor MOSFET de puissance
Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VDSS = 500V
Transistor MOSFET de puissance IXFQ60N50P3 Je D25 = 60A
IXFH60N50P3 ≤ 100mΩ du RDS (dessus)
Mode d'amélioration de N-canal
Avalanche évaluée
Redresseur intrinsèque rapide
| Symbole | Conditions d'essai | Estimations maximum |
|
VDSS VDGR |
TJ = 25°C à 150°C TJ = 25°C à 150°C, RGS = 1MΩ |
500 V 500 V |
|
VGSS VGSM |
Continu Coupure |
± 30 V ± 40 V |
|
JE D25 JE DM |
Comité technique = 25°C Comité technique = 25°C, Pulse Width Limited par TJM |
60 A 150 A |
|
J'A EAS |
Comité technique = 25°C Comité technique = 25°C |
30 A 1 J |
| dv/dt | EST le ≤ IDM, le ≤ VDSS, le ≤ 150°C de VDD de TJ | 35 V/ns |
| Palladium | Comité technique = 25°C | W 1040 |
|
TJ TJM Tstg |
-55… °C +150 °C 150 -55… °C +150 |
|
|
TL Tsold |
1.6mm (0.062in.) du point de droit pour 10s Corps en plastique pendant 10 secondes |
°C 300 °C 260 |
| DM | Montant le couple (TO-247 et TO-3P) | 1.13 / 10 Nm/lb.in. |
| Poids |
TO-268 TO-3P TO-247 |
4,0 g 5,5 g 6,0 g |
Caractéristiques
Redresseur intrinsèque rapide
Avalanche évaluée
Le bas RDS (DESSUS) et QG
Basse inductance de paquet
Avantages
Densité de puissance élevée
Facile à monter
L'épargne d'espace
Applications
Alimentations de Commutateur-mode et d'énergie de Résonnant-mode
Conducteurs de laser des convertisseurs z de DC-DC
Commandes de moteur à C.A. et de C.C
Contrôles de robotique et de servo
Fig. 1. caractéristiques de sortie @ TJ = 25ºC Fig. 2. caractéristiques de sortie prolongées @ TJ = 25ºC
Fig. 3. caractéristiques de sortie @ TJ = 125ºC Fig. 4. le RDS (dessus) normalisé à valeur identification = 30A contre Jonction La température
Fig. 5. le RDS (dessus) normalisé à valeur identification = 30A contre 6. drain maximum actuel contre le cas Drain CurrentFig. La température
Fig. 7. accès d'entrée Fig. 8. Transconductance