Catégories de produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

[30]

Unité de microcontrôleur de MCU

[157]

Composants électroniques

[279]

Contacter

ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

Coordonnées du contact

Contacter

2N2646 TRANSISTORS du SILICIUM UNIJUNCTION commutant le transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance

Demander le dernier prix

Chaîne vidéo

Number modèle :2N2646

Point d'origine :original

Quantité d'ordre minimum :5pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :290PCS

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

Contacter

Add to Cart

Voir la description du produit

2N2646 TRANSISTORS du SILICIUM UNIJUNCTION commutant le transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance

TRANSISTORS DU SILICIUM UNIJUNCTION

Les transistors planaires d'Unijunction de silicium ont une structure ayant pour résultat la tension de saturation inférieure, le courant crête point et le courant de vallée comme zell comme tension maximale d'impulsion de base-un beaucoup plus élevée. En outre, ces dispositifs sont des commutateurs beaucoup plus rapides.

Le 2N2646 est prévu pour des applications industrielles d'usage universel où l'économie de circuit est d'importance primaire, et est idéal pour l'usage dans des circuits de mise de feu pour les redresseurs commandés de silicium et d'autres applications où une amplitude d'impulsion minimum garantie est exigée. Le 2N2647 est prévu pour des applications où une basse fuite d'émetteur actuelle et un bas courant d'émetteur de point maximal (courant de déclencheur) sont exigés et également pour déclencher des thyristors de puissance élevée.

CAPACITÉS ABSOLUES Tj=125°C sauf indication contraire

Symbole	Estimations	2N2646 2N2647	Unité
VB2E	Tension Emitter-Base2	30	V
IE	Courant d'émetteur de RMS	50	mA
IE *	Courant maximal d'émetteur d'impulsion	2
VB2B	Tension Interbase	35	V
Palladium	Dissipation de puissance de RMS	300	mW
TJ	La température de jonction	-65 à +125	°C
TStg	Température de stockage	-65 à +150	°C

BULLETIN DE LA COTE

36MB100A	1629	IR	15+	MODULE
LM2674MX-5.0	1865	NSC	10+	SOP-8
LTC1690CS8	6022	LINÉAIRE	14+	CONCESSION
PMBT3904	780000		15+	SOT-23
PM10CNA060	200	MITSUBISH	09+	MOUDLE
B1240	3455	SUR	15+	DIP18
LM3403N	2969	NSC	10+	DIP-14
LM4050CIM3X-2.5	6586	NSC	13+	SOT-23-3
PIC16LF877A-I/PT	4698	PUCE	16+	QFP
MAX4252EUA	13500	MAXIME	15+	MSOP
MC33033DW	11000	SUR	16+	CONCESSION
L05172	1596	St	15+	HSSOP36
BT136S-600E	3829		15+	TO220
MCP6S21-I/MS	5560	PUCE	16+	MSOP
MTD1375F	7513	SHINDENGE	15+	HSOP
MAX3232ECAE	11250	MAXIME	16+	SSOP
MD1803DFX	5836	St	16+	TO-3P
LM5118MH	1743	NSC	11+	TSSOP-20
LTC3108IGN	6857	LT	16+	SSOP
ATTINY26L-8MU	552	ATMEL	14+	QFN-32
ZRA245A02	1200	ZETEX	10+	TO-92
LP3855ESX-3.3	2263	NSC	14+	TO-263
PIC18F25J10-I/SO	4558	PUCE	15+	CONCESSION
AU6254	3000	ALCOR	12+	LQFP48

Inquiry Cart 0