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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire

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Number modèle :MJD112T4G

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :8600pcs

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

Description :Transistor (BJT) bipolaire NPN - DarliCM GROUPon 100 V 2 un bâti extérieur DPAK de 25MHz 20 W

Tension de Collector−Emitter :100 Vcc

Tension de Collector−Base :100 Vcc

Tension d'Emitter−Base :5 volts continu

Courant bas :mAdc 50

Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C :20W

Température ambiante de jonction d'opération et de stockage :−65 au °C +150

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Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire

MJD112 (NPN)

MJD117 (PNP)

DarliCM GROUPon Power Transistors complémentaire

DPAK pour les applications extérieures de bâti

TRANSISTORS DE PUISSANCE DE SILICIUM

2 AMPÈRES

100 VOLTS

20 WATTS

Conçu pour la puissance d'usage universel et commuter tel que des étapes de sortie ou de conducteur dans les applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs, et des amplificateurs de puissance.

Caractéristiques

• Les paquets de Pb−Free sont disponibles

• Avance formée pour les applications extérieures de bâti dans des gaines plastiques (aucun suffixe)

• Version droite d'avance dans suffixe des gaines plastiques ("−1 »)

• Version formée par avance dans la bande de 16 millimètres et la bobine (« T4 » et suffixe de « RL »)

• Électriquement semblable à la série TIP31 et TIP32 populaire

ESTIMATIONS MAXIMUM

Estimation	Symbole	Maximum	Unité
Tension de Collector−Emitter	VCEO	100	Volts continu
Tension de Collector−Base	VCB	100	Volts continu
Tension d'Emitter−Base	VEB	5	Volts continu
− de courant de collecteur continu Crête	IC	2 4	CDA
Courant bas	IB	50	mAdc
Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C	Palladium	20 0,16	W W/°C
Puissance totale Dissipation* @ MERCI = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C	Palladium	1,75 0,014	W W/°C
Température ambiante de jonction d'opération et de stockage	TJ, Tstg	−65 à +150	°C

Les estimations maximum sont ces valeurs au delà de quels dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum ont appliqué au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.

DIAGRAMMES DE REPÉRAGE

DIMENSIONS DE PAQUET

DPAK

CAS 369C

QUESTION O

DPAK−3

CAS 369D−01

QUESTION B

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