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GaAs Ired de transistor de transistor MOSFET de la puissance TLP734 nouvelle et originale et transistor de photo

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GaAs Ired de transistor de transistor MOSFET de la puissance TLP734 nouvelle et originale et transistor de photo

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Number modèle :TLP734
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :6800pcs
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :Le transistor d'optoisolant a produit 4000Vrms 1 la Manche 6-DIP
Température de stockage :?-55~125 °C
Température de fonctionnement :?-40~100 °C
La température de soudure d'avance (10 s) :°C 260
Dissipation de puissance totale de paquet :250mW
Dissipation de puissance totale de paquet sous-sollicitant (≥ de ventres 25°C) :- ? 2,5 mW/°C
Tension d'isolement :4000 Vrms
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TOSHIBA TLP733 et TLP734 se composent d'un photo−transistor optiquement couplé à une diode émetteuse d'infrarouge d'arséniure de gallium dans de l'IMMERSION en plastique six avances.

TLP734 est connexion interne de no−base pour des environnements de high−EMI.

  • Tension de Collector−emitter : 55 V (mn) ?
  • Rapport de transfert courant : 50% (mn)
    • Grade gigaoctet : 100% (mn) ?
  • L'UL a reconnu : UL1577, no. E67349 de dossier ?
  • Le BSI a approuvé : LES BS EN60065 : 1994
    • No. 7364 de certificat
    • LES BS EN60950 : 1992
    • No. 7365 de certificat ?
  • SEMKO a approuvé : SS4330784
    • No. 9325163, 9522142 de certificat ?
  • Tension d'isolement : 4000 Vrms (mn) ?
  • Type de l'option (D4)
    • Le VDE a approuvé : DIN VDE0884/06,92,
      • No. 74286, 91808 de certificat
    • Tension fonctionnante maximum d'isolation : 630, 890 VPK
    • Le plus haut permis au-dessus de la tension : 6000, 8000 VPK

(Note) quand un VDE0884 a approuvé le type est nécessaire, indiquent svp la « option (D4) »

lancement de 7,62 millimètres lancement de 10,16 millimètres

de type courant Type de TLP×××F ?

Ligne de fuite : 7,0 millimètres (mn) 8,0 millimètres (mn)

Dégagement : 7,0 millimètres (mn) 8,0 millimètres (mn)

Chemin interne d'ascension : 4,0 millimètres (mn) 4,0 millimètres (mn)

Épaisseur d'isolation : 0,5 millimètres (mn) 0,5 millimètres (mn)

Estimations maximum (merci = 25°C)

Caractéristique Symbole Estimation Unité
LED Courant en avant SI 60 mA
Sous-sollicitation actuelle en avant (≥ de ventres 39°C) ∆IF/°C ? -0,7 mA/°C
Crête en avant actuelle (impulsion de 100 µs, 100 PPS) IFP 1
Tension inverse VR 5 V
La température de jonction Tj 125 °C
Détecteur Collecteur ? tension d'émetteur VCEO 55 V
Collecteur ? tension basse (TLP733) VCBO 80 V
Émetteur ? tension de collecteur VECO 7 V
Émetteur ? tension basse (TLP733) VEBO 7 V
Courant de collecteur IC 50 mA
Dissipation de puissance PC 150 mW
Dissipation de puissance sous-sollicitant (≥ de ventres 25°C) ∆PC/°C -1,5 mW/°C
La température de jonction Tj 125 °C
Température ambiante de température de stockage Tstg - ? 55~125 °C
Gamme de température de fonctionnement Topr ? -40~100 °C
La température de soudure d'avance (10 s) Tsol 260 °C
Dissipation de puissance totale de paquet Pinte 250 mW
Dissipation de puissance totale de paquet sous-sollicitant (≥ de ventres 25°C) ∆PT/°C -2,5 mW/°C
Tension d'isolement (C.A., 1 mn, R.H.≤ 60%) BVS 4000 Vrms

Poids : 0,42 g

Pin Configurations (vue supérieure)

TLP733

1 : Anode 2 : Cathode 3 : OR 4 : Émetteur 5 : Collecteur 6 : Base

TLP734

1 : Anode 2 : Cathode 3 : OR 4 : Émetteur 5 : Collecteur 6 : OR

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