ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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? ? ? ? ? ? HEXFET ? Transistor MOSFET T de puissance
* Sur-résistance très réduite
* transistor MOSFET de P-canal
* empreinte de pas SOT-23
* profil bas (<1>
* disponible dans la bande et la bobine
* commutation rapide ? ? ? ? ?
Ces transistors MOSFET de P-canal de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - le bas onresistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans la gestion de batterie et de charge.
Un grand leadframe thermiquement augmenté de protection a été incorporé au paquet SOT-23 standard pour produire un transistor MOSFET de puissance de HEXFET avec la plus petite empreinte de pas de l'industrie. Ce paquet, a doublé le Micro3™, est idéal pour des applications où l'espace de carte électronique est à une prime. Le profil bas (<1>
| Paramètre | Maximum. | Unités | |
| VDS | Tension de source de drain | -20 | V |
| VENTRES d'IDENTIFICATION @ = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ -4.5V | -3,7 | |
| Identification @ TA= 70°C | Courant continu de drain, VGS @ -4.5V | -2,2 | |
| IDM | Courant pulsé de drain ? | -22 | |
| Palladium @TA = 25°C | Dissipation de puissance | 1,3 | W |
| Palladium @TA = 70°C | Dissipation de puissance | 0,8 | |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,01 | W/°C | |
| EAS | Énergie simple d'avalanche d'impulsion ? | 11 | MJ |
| VGS | Tension de Porte-à-source | ± 12 | V |