Diode de changement ultra-rapide simple, fabriquée en technologie planaire, et encapsulée dans un petit paquet en plastique Surface-monté du dispositif SOT23 (TO-236AB) (SMD).

Caractéristiques

■Vitesse de changement élevée : ≤ 4 NS de trr

■Basse capacité : ≤ 1,5 PF de Cd

■Bas courant de fuite

■Tension inverse : ≤ 100 V DE VR

■Tension inverse maximale répétitive : ≤ 100 V DE VRRM

■Petit paquet en plastique de SMD

Applications

■Commutation ultra-rapide

Données de référence rapide

Symbole	Paramètre	Conditions	Minute	Type	Maximum	Unité
SI	en avant actuel	[1]	-	-	215	mA
VR	tension inverse		-	-	100	V
trr	temps de rétablissement inverse	[2]	-	-	4	NS

[1] dispositif monté sur un panneau du circuit imprimé FR4 l'empreinte de pas de cuivre, étampée et standard à simple face (de carte PCB).

[2] une fois commuté de SI = 10 mA à IR = 10 mA ; RL = Ω 100 ; mesuré à IR = 1 mA.

Valeurs limites

Selon le système de notation maximum absolu (le CEI 60134).

Symbole	Paramètre	Conditions	Minute	Maximum	Unité
VRRM	tension inverse maximale répétitive		-	100	V
VR	tension inverse		-	100	V
SI	en avant actuel	[1]	-	215	mA
IFRM	crête répétitive en avant actuelle		-	500	mA
IFSM	crête non répétitive en avant actuelle	onde rectangulaire [2]
		tp = µs 1	-	4
		tp = 1 Mme	-	1
		tp = 1 s	-	0,5
Ptot	dissipation de puissance totale	°C du ≤ 25 de Tamb [1] [3]	-	250	mW
Tj	la température de jonction		-	150	°C
Tstg	température de stockage		−65	+150	°C

[1] dispositif monté sur une empreinte de pas de cuivre, étampée et standard à simple face de la carte PCB FR4.

[2] Tj = °C 25 avant la montée subite.

[3] points de soudure de cathode tableau.

Circuit et formes d'onde inverses d'essai de temps de rétablissement

Circuit et formes d'onde en avant d'essai de tension de récupération

Contour SOT23 (TO-236AB) de paquet

Inquiry Cart 0