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Conducteur latéral de Chip High Voltage High And de circuit intégré électronique de circuit intégré de L6386D bas
DESCRIPTION
Le L6386 est un dispositif à haute tension, construit avec technologie la « EN DIFFÉRÉ » de BCD. Il a une structure de conducteur qui permet de conduire le MOS référencé indépendant ou l'IGBT de puissance de la Manche. La section (de flottement) supérieure est permise de fonctionner avec le rail de tension jusqu'à 600V. Les entrées de logique sont CMOS/TTL compatibles pour la facilité de se connecter par interface aux dispositifs de contrôle.
CAPACITÉS ABSOLUES
Symbole | Paramètre | Valeur | Unité |
Vout | Tension de sortie | -3 à Vboot - 18 | V |
Vcc | Tension d'alimentation | - 0,3 à +18 | V |
Vboot | Tension d'alimentation de flottement | -1 à 618 | V |
Vhvg | Tension supérieure de sortie de porte | - 1 à Vboot | V |
Vlvg | Tension inférieure de sortie de porte | -0,3 à Vcc +0,3 | V |
Vi | Tension d'entrée de logique | -0,3 à Vcc +0,3 | V |
Vdiag | Tension obligatoire de drain ouvert | -0,3 à Vcc +0,3 | V |
Vcin | Tension d'entrée de comparateur | -0,3 à Vcc +0,3 | V |
dVout/dt | Taux de groupe permis de sortie | 50 | V/ns |
Ptot | Dissipation de puissance totale (Tj = °C) 85 | 750 | mW |
Tj | La température de jonction | 150 | °C |
Solides totaux | Température de stockage | -50 à 150 | °C |
Note : L'immunité d'ESD pour les bornes 12, 13 et 14 est garantie jusqu'à 900V (le modèle de corps humain)
SCHÉMA FONCTIONNEL
CONNEXION DE PIN