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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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Module d'alimentation du transistor MOSFET IGBT de puissance de St de module d'alimentation de transistor MOSFET de FGH40N60SMD

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Number modèle :FGH40N60SMD

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :8500pcs

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

Description :Arrêt de champ d'IGBT 600 V 80 A 349 W par le trou TO-247-3

Collecteur à la tension d'émetteur :600 V

Porte à la tension d'émetteur :± 20 V

Courant de collecteur pulsé :120 A

Courant en avant maximum pulsé de diode :120 A

La température de jonction fonctionnante :-55 à +175℃

Température de stockage :-55 à +175℃

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FGH40N60SMDF

600V, arrêt de champ 40A IGBT

Caractéristiques

• La température de jonction maximum : TJ =175℃

• Coefficient positif de Temperaure pour l'opération parallèle facile

• Capacité à forte intensité

• Basse tension de saturation : VCE _{(s'est reposé)} =1.9V (type.) @ IC = 40A

• Impédance élevée d'entrée

• Commutation rapide

• Serrez la distribution de paramètre

• RoHS conforme

Applications

• Inverseur solaire, UPS, SMPS, PFC

• Chauffage par induction

Description générale

Utilisant la technologie nouvelle de l'arrêt de champ IGBT, les nouvelles séries de Fairchild d'arrêt de champ IGBTs offrent la représentation optima pour des applications solaires d'inverseur, d'UPS, de SMPS, d'IH et de PFC où la basse conduction et les pertes de changement sont essentielles.

Capacités absolues

Symbole	Description	Estimations	Unités
VCES	Collecteur à la tension d'émetteur	600	V
VGES	Porte à la tension d'émetteur	± 20	V
IC	Courant de collecteur @ comité technique = 25℃	80
IC	Courant de collecteur @ comité technique = 100℃	40
Missile aux performances améliorées ₍₁₎	Courant de collecteur pulsé	120
SI	Courant en avant de diode @ comité technique = 25℃	40
SI	Courant en avant de diode @ comité technique = 100℃	20
IFM ₍₁₎	Courant en avant maximum pulsé de diode	120
Palladium	Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 25℃	349	W
Palladium	Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 100℃	174	W
TJ	La température de jonction fonctionnante	-55 à +175	℃
Tstg	Température ambiante de température de stockage	-55 à +175	℃
TL	Temp maximum d'avance. pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes	300	℃

Notes : 1 : Estimation répétitive : Durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.

Quantité

Marque

D/C

Paquet

EL817B-F	12000	EL	16+	IMMERSION
EL817C-F	12000	EVERLIGHT	16+	IMMERSION
EL817S (A) (VENTRES) - F	68000	EVERLIGHT	12+	SOP-4
EM639165TS-6G	7930	ETRONTECH	15+	TSOP-54
EM63A165TS-6G	13467	ETRONTECH	14+	TSOP-54
EM78P459AKJ-G	9386	EMC	15+	DIP-24
EMI2121MTTAG	5294	SUR	15+	DFN
ENC28J60-I/SO	7461	PUCE	16+	SOP-28
EP1C3T144C8N	3452	ALTERA	13+	QFP144
EP3C5F256C8N	2848	ALTERA	15+	BGA
EP3C80F780I7N	283	ALTERA	16+	BGA
EP9132	3575	L'EXPLOREZ	16+	TQFP-80
EPC1213LC-20	3527	Alt	03+	PLCC20
EPC1213PC8	8853	ALTERA	95+	DIP-8
EPC2LI20N	2794	ALTERA	13+	PLCC
EPM7032SLC44-10N	2472	ALTERA	13+	PLCC44
EPM7064SLC44-10N	2498	ATLERA	15+	PLCC
EPM7128SQC100-10N	1714	ALTERA	12+	QFP
ERA-1SM+	3210	MINI	15+	SOT-86
ES1B-E3/61T	18000	VISHAY	14+	DO-214AC
ES2G-E3/52T	12000	VISHAY	16+	SMB
ES2J-E3/52T	12000	VISHAY	13+	DO-214AA
ES3J	12000	FSC	15+	SMC
ES56031S	3498	Es	16+	SOP-24
ESAD92-02	6268	FUIJ	16+	TO-3P
ESD112-B1-02EL E6327	23000		15+	TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G	9000	SUR	13+	SOD-523
ESD5Z7.0T1G	12000	SUR	16+	SOD-523
ESDA6V1SC5	51000	St	15+	SOT23-5
ESP-12E	3991	AI	16+	SMT

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