ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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MT29F64G08CBABAWP : Mémoire de masse en plastique de la puce de mémoire de B Nand Flash IC 8GX8 PBF TSOP 3.3V

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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MT29F64G08CBABAWP : Mémoire de masse en plastique de la puce de mémoire de B Nand Flash IC 8GX8 PBF TSOP 3.3V

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Number modèle :MT29F64G08CBABAWP
Point d'origine :La Malaisie
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10000pcs
Délai de livraison :dans 2-3days courant
Détails de empaquetage :1000PCS/REEL
Description :INSTANTANÉ - NAND Memory IC 64Gbit 48-TSOP parallèle I
Type de mémoire :Non-volatile
Format de mémoire :ÉCLAIR
Technologie :ÉCLAIR - NON-ET
Capacité de la mémoire :64Gb (8G X 8)
Tension - approvisionnement :2,7 V | 3,6 V
Température de fonctionnement :0°C | 70°C (VENTRES)
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MT29F64G08CBABAWP:B puce mémoire IC NAND FLASH 8GX8 PBF PLASTIC TSOP stockage de masse à 3,3 V

Caractéristiques

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 conforme1

• Technologie des cellules à un seul niveau (SLC)

• Organisation ️ Taille de page x8: 2112 octets (2048 + 64 octets) ️ Taille de page x16: 1056 mots (1024 + 32 mots) ️ Taille du bloc: 64 pages (128K + 4K octets) ️ Taille du plan:2 plans x 2048 blocs par plan: 4Gb: 4096 blocs; 8Gb: 8192 blocs 16Gb: 16384 blocs

• Performance d'entrée/sortie asynchrone: tRC/tWC: 20 ns (3,3 V), 25 ns (1,8 V)

• Performance de la matrice Lire la page: 25μs 3 Page du programme: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3 Bloc d'effacement: 700μs (TYP)

• Ensemble de commandes: protocole ONFI NAND Flash

• Ensemble de commandes avancées ️ Mode de mise en cache de la page du programme4 ️ Mode de mise en cache de la page de lecture4 ️ Mode programmable à usage unique (OTP) ️ Commandes à deux plans 4 ️ Opérations à matrices interlignées (LUN) ️ Lire un identifiant unique ️ Bloc de verrouillage (1.8V uniquement)

• Le byte d'état de l'opération fournit une méthode logicielle pour détecter l'achèvement de l'opération condition de réussite/échec

• Le signal Ready/Busy# (R/B#) fournit une méthode matérielle de détection de la fin de l'opération

• Signal WP#: Écrire pour protéger tout l'appareil

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Catégories Circuits intégrés (CI)
  La mémoire
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Série -
Statut de la partie Actif
Type de mémoire Non volatils
Format de mémoire Flash
Technologie Flash - NAND
Taille de mémoire 64 Go (8 Go x 8 Go)
Écrire le temps du cycle - mot, page -
Interface de mémoire Parallèlement
Voltage - alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement Pour les appareils de traitement des eaux usées:

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