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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Number modèle :2SB1261

Point d'origine :La Chine

Quantité d'ordre minimum :10 PCs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT

Capacité d'approvisionnement :10000pcs

Délai de livraison :Courant

Détails de empaquetage :Sac

Description :Transistor (BJT) bipolaire PNP 60 V 3 un bâti extérieur D-PAK de 50MHz 1 W

Tension de collecteur-base :-60V

Tension de collecteur-émetteur :-60V

tension d'Émetteur-base :-7V

Collecteur Actuel-continu :-3A

Dissipation de puissance de collecteur @TC=25℃ :10w

LA TEMPÉRATURE DE JONCTION :150℃

température de stockage :-55~150℃

Le paquet :TO126

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2SB1261 Transistors épitaxiaux au silicium à diode PNP à usage général

Définition

·faible tension de saturation du collecteur

·Dissipation de puissance élevée: PC= 10W(Max) @TC=25°C

·Complément au type 2SD1899-K

Applications

·Conçu pour une utilisation dans les amplificateurs audio et les commutateurs, en particulier dans les circuits intégrés hybrides.

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