produits Fournisseurs Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Membre actif
3 Ans
Accueil le catalogue des produits Profil de la société Contrôle de qualité Contactez nous demande un quota
Français
Accueil / produits / Field Effect Transistor /

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMP6A18DN8TA

Catégories de produits

Circuits intégrés ICS

 [3000]

Puce d'IC de mémoire

 [3000]

Isolant analogue IC

 [2527]

Microcontrôleurs et processeurs incorporés

 [3000]

Transistor à effet de champ

 [1828]

Module d'alimentation d'IGBT

 [1002]

Triode de diode

 [303]

Condensateur d'usage universel

 [41]

Les connecteurs relie ensemble

 [83]

Inducteur de puissance de SMD

 [100]

Composant de relais

 [203]

Fusibles de protection de circuit

 [195]
Contacter
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Pays / Région:china
Contact:MissVicky
Coordonnées du contact
Contacter
China Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMP6A18DN8TA wholesale
  • China Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMP6A18DN8TA wholesale

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMP6A18DN8TA
Demander le dernier prix
Numéro de la pièce :ZXMP6A18DN8TA
Fabricant :Diodes incorporées
Description :Transistor MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rangées
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
more
Contacter

Add to Cart
Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Caractéristiques de ZXMP6A18DN8TA

Statut de partie Actif
Type de FET P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET Porte de niveau de logique
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 3.7A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 55 mOhm @ 3.5A, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ 1V @ 250µA (minute)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 44nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 1580pF @ 30V
Puissance - maximum 1.8W
Température de fonctionnement -55°C | 150°C (TJ)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm)
Paquet de dispositif de fournisseur 8-SOP
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de ZXMP6A18DN8TA

Détection

Rangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMP6A18DN8TARangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMP6A18DN8TARangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMP6A18DN8TARangées de transistors MOSFET de FETs de transistors de transistor à effet de champ de ZXMP6A18DN8TA

Inquiry Cart 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4