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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF878,112

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China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF878,112 wholesale
  • China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF878,112 wholesale

Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ BLF878,112
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Numéro de la pièce :BLF878,112
Fabricant :Ampleon USA Inc.
Description :FET LDMOS 89V 21DB SOT979A de RF
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques BLF878,112

Statut de partie Obsolète
Type de transistor LDMOS (double), source commune
Fréquence 860MHz
Gain 21dB
Tension - essai 40V
Estimation actuelle -
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 1.4A
Puissance de sortie 300W
Tension - évaluée 89V
Paquet/cas SOT-979A
Paquet de dispositif de fournisseur CDFM2
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage BLF878,112

Détection

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