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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJ

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China Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJ wholesale
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Puce des transistors MOSFET rf de FETs de transistors de transistor à effet de champ de BLF6G27-10GHJ
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Numéro de la pièce :BLF6G27-10GHJ
Fabricant :Ampleon USA Inc.
Description :FET LDMOS 65V 19DB SOT975C de RF
Catégorie :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Famille :Transistors - FETs, transistors MOSFET - rf
Point d'origine :Original
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Délai de livraison :Négociable
Conditions de paiement :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :100000
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Caractéristiques de BLF6G27-10GHJ

Statut de partie Achat de la fois passée
Type de transistor LDMOS
Fréquence 2.5GHz | 2.7GHz
Gain 19dB
Tension - essai 28V
Estimation actuelle 3.5A
Chiffre de bruit -
Actuel - essai 130mA
Puissance de sortie 2W
Tension - évaluée 65V
Paquet/cas SOT-975C
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-975C
Expédition UPS/EMS/DHL/FedEx exprès.
Condition Nouvelle usine originale.

Emballage de BLF6G27-10GHJ

Détection

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