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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

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Transistor MOSFET discret IGBT N-ch 650V 34.6A de transistor du semi-conducteur SPW35N60C3 de puissance d'IGBT CoolMOS

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China Transistor MOSFET discret IGBT N-ch 650V 34.6A de transistor du semi-conducteur SPW35N60C3 de puissance d'IGBT CoolMOS wholesale
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Transistor MOSFET discret IGBT N-ch 650V 34.6A de transistor du semi-conducteur SPW35N60C3 de puissance d'IGBT CoolMOS
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Number modèle :SPW35N60C3
Quantité d'ordre minimum :Négociable
Conditions de paiement :T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement :Quantité disponible 30000 morceaux
Délai de livraison :Négociable
Modèle de produit :NGTB40N120SWG
Paquet de fournisseur :TO247-3
Brève description :IGBT CoolMOS
Catégorie de produit :Module d'alimentation IGBT
Domaines d'application :Pile de charge
Date de fabrication :D'ici un an
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Gamme de produits
  • Transistor MOSFET discret N-ch 650V 34.6A TO247-3 des semi-conducteurs SPW35N60C3 d'IGBT CoolMOS

Caractéristiques d'appli

  •  Nouvelle technologie à haute tension révolutionnaire
    •  
  •  Charge très réduite de porte
  •  L'avalanche périodique a évalué
  •  Le dv extrême /dt a évalué
  •  Capacités efficaces très réduites
  •  Transconductance amélioré
Données de base
Attribut de produit Valeur d'attribut
Infineon
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
RoHS : Détails
SI
Par le trou
TO-247-3
N-canal
La 1 Manche
600 V
34,6 A
100 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,1 V
150 OR
- 55 C
+ 150 C
313 W
Amélioration
CoolMOS
Tube
Marque : Infineon Technologies
Configuration : Simple
Temps de chute : 10 NS
Transconductance en avant - minute : 36 S
Taille : 21,1 millimètres
Longueur : 16,13 millimètres
Type de produit : Transistor MOSFET
Temps de montée : 5 NS
Série : CoolMOS C3
240
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 N-canal
Temps de retard d'arrêt typique : 70 NS
Temps de retard d'ouverture typique : 10 NS
Largeur : 5,21 millimètres
Partie # noms d'emprunt : SPW35N6C3XK SP000014970 SPW35N60C3FKSA1
Poids spécifique : 0,211644 onces
FICHE TECHNIQUE DE TÉLÉCHARGEMENT
  • Transistor MOSFET discret N-ch 650V 34.6A TO247-3 des semi-conducteurs SPW35N60C3 d'IGBT CoolMOS
Application
  •  Très utilisé dans l'étape, concert, communication de réseau, Smartphones marque sur tablette des ordinateurs portables que les carnets actionnent le boîtier de protection de caméras d'adaptateurs
Processus d'ordre

 

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STM32F042K6U7 STM32F042G4U6 STM32F042F4P6 STM32F042C6U7 STM32F042K6T7
Chip Diagram

Transistor MOSFET discret IGBT N-ch 650V 34.6A de transistor du semi-conducteur SPW35N60C3 de puissance d'IGBT CoolMOSTransistor MOSFET discret IGBT N-ch 650V 34.6A de transistor du semi-conducteur SPW35N60C3 de puissance d'IGBT CoolMOS

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