Puce 24FC512-I/P 512k I2c™ CMOS Eeprom périodique d'IC de mémoire instantanée

PUCE 24FC512-I/P - TECHNOLOGIE d'IC de MÉMOIRE INSTANTANÉE de PUCE - 512K I2C™ CMOS EEPROM PÉRIODIQUE

Détail rapide :

512K I2C CMOS EEPROM périodique

Description :

Microchip Technology Inc. 24AA512/24LC512/24FC512 (24XX512*) est de 64K X (512 Kbit) de la publication périodique 8 un PROM effaçable électriquement, capable de l'opération à travers une large gamme de tension (1.8V à 5.5V). Elle a été développée pour des applications telles que des communications personnelles et par acquisition de données avancés et de basse puissance. Ce dispositif fait également écrire une page la capacité de jusqu'à 128 octets de données. Ce dispositif est capable d'aléatoire et séquentiel lit jusqu'à la frontière 512K.

Les lignes fonctionnelles d'adresse permettent jusqu'à huit dispositifs sur le même autobus, pour l'espace d'adressage jusqu'à de 4 Mbit. Ce dispositif est disponible en IMMERSION en plastique standard de 8 bornes, SOIC, DFN et 14 paquets de l'avance TSSOP.

Applications :

• Technologie de basse puissance de CMOS :

- Le maximum écrivent à courant 5 mA à 5.5V

- Le maximum a lu le μA 400 actuel à 5.5V

- Na de réserve du courant 100, typique à 5.5V

• autobus à 2 fils d'interface série, I2C™ compatible

• Cascadable pour jusqu'à huit dispositifs

• l'effacement Auto-synchronisé/écrivent le cycle

• la page de 128 octets écrivent le mode disponible

• maximum de 5 Mme écrire la durée de cycle

• Protection contre l'écriture de matériel pour la rangée entière

• Entrées de déclencheur de Schmitt pour la suppression de bruit

• 1 000 000 s'effacent/pour écrire des cycles

• Protection de décharge électrostatique > 4000V

• Conservation de données > 200 ans

• 8 goupille paquets de PDIP, de SOIC (208 mil), et de DFN

• 14 paquet de l'avance TSSOP

• finitions sans Pb disponibles

• Températures ambiantes :

- (i) industriel : -40°C à +85°C

- (e) des véhicules à moteur : -40°C à +125°C

Caractéristiques :