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Bas Vcesat complément PBSS4160T du transistor de puissance de transistor MOSFET de NPN PNP

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Bas Vcesat complément PBSS4160T du transistor de puissance de transistor MOSFET de NPN PNP

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Number modèle :PBSS4160T, 215
Point d'origine :Fabricant original
Quantité d'ordre minimum :Quantité d'ordre minimum : 10 PCS
Conditions de paiement :T/T à l'avance, Western Union, Xtransfer
Capacité d'approvisionnement :1000
Délai de livraison :Dans 3days
Détails de empaquetage :Emballage standard
Fabricant Part Number :PBSS4160T, 215
Type :circuit intégré
C.C :Lastest nouveau
Délai d'exécution :jours 1-3working
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BAS VCESAT COMPLÉMENT PBSS4160T DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE TRANSISTOR MOSFET DE NPN PNP

 

Les marchandises conditionnent : Tout neuf Statut de partie : Actif
Sans plomb/Rohs : Plainte Fonction : NPN
Montage du type : Bâti extérieur Paquet : SOT23
Lumière élevée :

transistor de transistor MOSFET de canal de n

,

transistor de canal de n

 

 

Bas VCEsat transistor de PBSS4160T NPN dans SOT23 un complément en plastique du paquet PNP à PBSS5160T

CARACTÉRISTIQUES
• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur VCEsat
• Capacité élevée IC et missile aux performances améliorées de courant de collecteur
• Le rendement élevé, réduit la génération de chaleur
• Réduit le secteur de panneau de circuit imprimé requis
• Remplacement rentable pour le transistor BCP55 et BCX55 de puissance moyenne.

APPLICATIONS
• Segments importants d'application :
– Puissance des véhicules à moteur de 42 V
– Infrastructure de télécom
– Industriel.
• Gestion de puissance :
– Conversion C.C-à-C.C
– Canalisation d'alimentation commutation.
• Conducteur périphérique
– Conducteur dans de basses applications de tension d'alimentation (par exemple lampes et LED)
– Conducteur de charge inductive (par exemple relais, sonneries et moteurs).

Fabricant Nexperia USA Inc.  
Série -  
Emballage Bande et bobine (TR)  
Statut de partie Actif  
Type de transistor NPN  
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 1A  
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 60V  
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 250mV @ 100mA, 1A  
Actuel - coupure de collecteur (maximum) 100nA  
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 200 @ 500mA, 5V  
Puissance - maximum 400mW  
Fréquence - transition 220MHz  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Montage du type Bâti extérieur  
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paquet de dispositif de fournisseur TO-236AB (SOT23)  
Numéro de la pièce bas PBSS4160

 

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