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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Accueil / produits / GaN Epitaxial Wafer / GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser /

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Gaufrette sic épitaxiale

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GaAs Epi Wafer

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Substrats de diamant CVD

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Système de recuit thermique rapide

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Testeur de capteur à effet Hall

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Gaufrette de nitrure en aluminium

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Puce de diode laser

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Cristal de carbure de silicium

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Plaquette Ga2O3

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gaufrette de silicium

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Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelée

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Support de gaufrette de téflon

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Machine à découper les plaquettes

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GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser
GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser
  • GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur une plaquette de saphir Résistivité SSP ~ 10Ω Cm LED Plaquette épitaxiale PIN laser
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GaN dopé au Mg de type P de 4 pouces sur plaquette de saphir SSP résistivité ~ 10Ω cm LED, laser, plaquette épitaxiale PIN Les propriétés électriques ...
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Mots clés du produit:
puce LED crée SMD conversion à LED 4D de maglite conversion à LED 4d

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