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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Accueil / produits / SiC Epitaxial Wafer / Substrat de type SiC N 6 pouces 4H 47,5 mm sans plat secondaire /

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Gaufrette sic épitaxiale

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GaAs Epi Wafer

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Substrats de diamant CVD

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Support de gaufrette de téflon

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Substrat de type SiC N 6 pouces 4H 47,5 mm sans plat secondaire
Substrat de type SiC N 6 pouces 4H 47,5 mm sans plat secondaire
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