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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Accueil / produits / SiC Epitaxial Wafer / Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm /

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Support de gaufrette de téflon

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Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
  • Substrat en carbure de silicium de type N 6 pouces 4H longueur plate primaire 47,5 mm
produits détaillés
Substrat 4H-SiC 6 pouces N-Type D Grade 350.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Résistivité 0.014Ω•cm—0.028Ω•cm pour les appareils électriques et hyperfréquences Aper...
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structure du carbure de silicium structure en carbure de silicium feuille de carbure de silicium 180

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