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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Accueil / produits / SiC Epitaxial Wafer / bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um /

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GaN Epitaxial Wafer

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Gaufrette sic épitaxiale

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GaAs Epi Wafer

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Substrats de diamant CVD

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Système de recuit thermique rapide

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Testeur de capteur à effet Hall

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Gaufrette de nitrure en aluminium

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Puce de diode laser

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Cristal de carbure de silicium

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Plaquette Ga2O3

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gaufrette de silicium

 [26]

Sapphire Wafer

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Sapphire Substrates modelée

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Support de gaufrette de téflon

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Machine à découper les plaquettes

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bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um
bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um
  • bord épitaxial de gaufrette de gaufrette de SiC de la forme en cristal 4H biseautant le ± 25.0um de 350.0um
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JDCD03-001-004 Biseau épitaxié de bord de tranche de gaufrette de SiC 350.0μm ± 25.0 μm JDCD03-001-004 Aperçu Plusieurs méthodes de croissance de la ...
voir produits détaillés →
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plaquettes de carbure de silicium b. à l'exclusion des produits du noyau structure du carbure de silicium

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