Transistor MOSFET de haute puissance pour des applications de puissance

Éprouvez la représentation supérieure du transistor MOSFET d'IRF640NPBF

Si vous recherchez un transistor MOSFET puissant pour vos applications de puissance, l'IRF640NPBF est le choix parfait pour vous. Ce transistor performant d'amélioration-mode de N-canal est conçu pour fournir l'excellente représentation avec sa basse résistance de sur-état de juste 0,18 ohms. Ce transistor MOSFET est capable de manipuler un courant maximum de 18 ampères, qui lui fait un choix idéal pour des applications exigeant la manipulation à forte intensité. En plus, son estimation maximum de tension de 200 volts assure l'opération fiable, même sous des charges lourdes. Comportant une conception rocailleuse et durable, l'IRF640NPBF est construit pour durer. Son paquet est TO-220AB, qui est largement connu dans le domaine de l'électronique pour son excellente représentation thermique. Ceci signifie qu'il peut résister à des hautes températures sans défaut de fonctionnement.

Ce transistor MOSFET comporte également une vitesse de changement rapide, qui le rend très efficace dans n'importe quelle application de puissance. Plus, il est facile d'installer et peut être employé dans diverses applications, y compris le contrôle de moteur, les régulateurs de commutation, les conducteurs de solénoïde, et beaucoup plus.

En résumé, si vous recherchez un transistor MOSFET puissant pour vos applications de puissance, l'IRF640NPBF est un excellent choix. Avec ses configurations exceptionnelles et conception robuste, vous pouvez être sûr qu'elle te fournira la représentation fiable et efficace pour les années à venir.

Caractéristiques techniques :

• Technologie : SI
• Montage du style : Par le trou
• Paquet/cas : TO-220-3
• Polarité de transistor : N-canal
• Nombre de canaux : La 1 Manche
• Vds - tension claque de Drain-source : 200 V
• Identification - courant continu de drain : 18 A
• Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 150 mOhms
• Vgs - tension de Porte-source : - 20 V, + 20 V
• Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 2 V
• Qg - charge de porte : 44,7 OR
• Température de fonctionnement minimum : - 55 C
• Température de fonctionnement maximum : + 175 C
• Palladium - dissipation de puissance : 150 W
• Mode de la Manche : Amélioration
• Emballage : Tube
• Marque : Infineon Technologies
• Configuration : Simple
• Temps de chute : 5,5 NS
• Transconductance en avant - minute : 6,8 S
• Taille : 15,65 millimètres
• Longueur : 10 millimètres
• Type de produit : Transistor MOSFET
• Temps de montée : 19 NS