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N-canal 40 V 56A 85W LFPAK56 Power-SO8 de puce d'IC de transistor de BUK9Y14-40B 115
Caractéristiques de BUK9Y14-40B
Basses pertes de conduction de dues au bas
résistance de sur-état
Q101 conforme
approprié à la commande de porte de niveau de logique
sources
approprié à exiger thermiquement
environnements dus à l'estimation de 175 °C
Attributs de produit de BUK9Y14-40B
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Produit
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BUK9Y14-40B, 115
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Type de FET
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N-canal
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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40 V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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56A (comité technique)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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5V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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11mOhm @ 20A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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2V @ 1mA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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21 OR @ 5 V
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Vgs (maximum)
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±15V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1800 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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85W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 175°C (TJ)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet de dispositif de fournisseur
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LFPAK56, Power-SO8
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Paquet/cas
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SC-100, SOT-669
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Nombre bas de produit
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BUK9Y14
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Application de BUK9Y14-40B
Airbag de
Systèmes des véhicules à moteur d'ABS de
Contrôle de transmission des véhicules à moteur de
Systèmes d'injection diesel de
Le essence la pompe et l'injection
Moteurs, lampes et solénoïdes de
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
|---|---|
| Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
| Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
