Résistances actuelles Igbt 600v 15a 56w Dpak du sens STGD6NC60HDT4
Bâti extérieur DPAK d'IGBT 600 V 15 A 56 W
Caractéristiques de STGD6NC60HDT4
| TYPE |
DESCRIPTION |
| Catégorie |
Produits semiconducteurs discrets |
| Transistors |
| IGBTs |
| IGBTs simple |
| Mfr |
STMicroelectronics |
| Série |
PowerMESH™ |
| Paquet |
Bande et bobine (TR) |
| Coupez la bande (les CT) |
| Digi-Reel® |
| Statut de produit |
Actif |
| Type d'IGBT |
- |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) |
600 V |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) |
15 A |
| Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) |
21 A |
| Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC |
2.5V @ 15V, 3A |
| Puissance - maximum |
56 W |
| Énergie de changement |
20µJ (dessus), 68µJ () |
| Type d'entrée |
Norme |
| Charge de porte |
OR 13,6 |
| Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C |
12ns/76ns |
| Condition d'essai |
390V, 3A, 10Ohm, 15V |
| Temps de rétablissement inverse (trr) |
21 NS |
| Température de fonctionnement |
-55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type |
Bâti extérieur |
| Paquet/cas |
TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Paquet de dispositif de fournisseur |
DPAK |
| Nombre bas de produit |
STGD6 |
Caractéristiques de STGD6NC60HDT4
■Bas sur la chute de tension (Vcesat)
■Bas rapport de CRES/CIES (aucune susceptibilité de croix-conduction)
■Diode antiparallèle de récupération ultra-rapide très douce
■Opération à haute fréquence
Applications de STGD6NC60HDT4
■Inverseurs à haute fréquence
■SMPS et PFC dans le commutateur dur et
topologies résonnantes
■Conducteurs de moteur
Classifications environnementales et d'exportation de STGD6NC60HDT4
| ATTRIBUT |
DESCRIPTION |
| Statut de RoHS |
ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) |
1 (illimité) |
| Statut de PORTÉE |
ATTEIGNEZ inchangé |
| ECCN |
EAR99 |
| HTSUS |
8541.29.0095 |
