TC7S04F(TE85L,F) Onduleur IC 1 Canal SMV
Fiche de données:TC7S04F(TE85L,F)
| Catégorie | Portes et onduleurs |
| Fabricant | Toshiba Semiconducteur et Stockage |
| Série | TC7S |
| État du produit | Actif |
| Type de logique | Onduleur |
| Tension - Alimentation | 2V ~ 6V |
| Courant - Repos (Max) | 1µA |
| Courant - Sortie haut, bas | 2,6 mA, 2,6 mA |
| Niveau logique d'entrée - Bas | 0.5V ~ 1.8V |
| Niveau logique d'entrée - haut | 1.5V ~ 4.2V |
| Délai de propagation max @ V, Max CL | 17ns @ 6V, 50pF |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
| Type de montage | Montage en surface |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | VMS |
| Paquet/caisse | SC-74A, SOT-753 |
| Numéro de produit de base | 7S08 |
Le TC7S04 est un onduleur C2 MOS haute vitesse fabriqué avec la technologie MOS C2 à grille de silicium.
Il atteint un fonctionnement à grande vitesse similaire au LSTTL équivalent tout en maintenant la faible dissipation de puissance C2 MOS.
Le circuit interne est composé de 3 étages comprenant une sortie tampon, ce qui permet une immunité élevée au bruit et une sortie stable.
L'entrée est équipée de circuits de protection contre les décharges statiques ou les surtensions transitoires.
Les courants de sortie sont 1/2 par rapport aux modèles de la série TC74HC
Ressources additionnelles:
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Autres noms | TC7S04F(TE85L,F) |
| | TC7S04FLFDKR |
| | TC7S04F(T5LFT)CT |
| | TC7S04F(T5LFT)DKR-ND |
| | TC7S04FT5LFT |
| | TC7S04FTFTR |
| | TC7S04FTCT-NDR |
| | TC7S04F(T5LFT)TR |
| | TC7S04F(TE85LF)TR-ND |
| | TC7S04F(T5LFT)CT-ND |
| | TC7S04FTTR-NDR |
| | TC7S04F(T5LFT)TR-ND |
| | TC7S04F,LF(T |
| | TC7S04F(TE85LF)CT |
| | TC7S04F(TE85LF)CT-ND |
| | TC7S04F(TE85LF)DKR-ND |
| | TC7S04F(TE85LF)TR |
| | TC7S04FTFDKR |
| | TC7S04FTFDKR-ND |
| | TC7S04F,LF(B |
| | TC7S04FLFTR |
| | TC7S04F(T5L,F,T) |
| | TC7S04F (T5L,F,T) |
| | TC7S04F(T5LFT)DKR |
| | TC7S04FTFCT |
| | TC7S04FTFCT-ND |
| | TC7S04F(TE85LF)DKR |
| | TC7S04FTFTR-ND |
| | TC7S04FLFCT |
| Forfait Standard | 3000 |
Caractéristiques
• Haute vitesse : tpd = 7 ns (typ.) à VCC = 5 V
• Faible dissipation de puissance : ICC = 1 μA (max) à Ta = 25 °C
• Haute immunité au bruit : VNIH = VNIL = 28 % VCC (min)
• Capacité d'entraînement de sortie : 5 charges LSTTL
• Impédance de sortie symétrique : |IOH|= LIO = 2 mA (min)
• Délais de propagation équilibrés : tpLH ∼− tpHL
• Large plage de tension de fonctionnement : VCC (opr) = 2 à 6 V
Image de données :
