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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :80 mA

Statut du produit :Dépassé

Type de transistor :NPN - Pré-décentré

Type de montage :Monture de surface

Le paquet :Tape et bobine (TR)

Série :-

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :Pour les appareils de traitement des ondes électriques

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :SSMini3-F3-B

Résistance - Base (R1) :4,7 kOhms

Mfr :Composants électroniques de Panasonic

Résistance - Base de l'émetteur (R2) :4,7 kOhms

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :500 nA

Puissance maximale :125 mW

Emballage / boîtier :SC-89, SOT-490

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :20 @ 5mA, 10V

Numéro du produit de base :RDC9A

Description :Les résultats de l'enquête sont publiés dans la revue de l'industrie.

Le stock :En stock

Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express

Conditions de paiement :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 80 mA 125 mW Monture de surface SSMini3-F3-B

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