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Catégorie :Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Bipolaire (BJT)

Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 MA

Statut du produit :Dépassé

Type de transistor :NPN - Pré-décentré

Fréquence - Transition :250 MHz

Type de montage :À travers le trou

Le paquet :Tape et boîte (TB)

Série :-

Vce saturation (max) @ Ib, Ic :300mV @ 500µA, 10mA

Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V

Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :TO-92S

Résistance - Base (R1) :4,7 kOhms

Mfr :Uniseme

Résistance - Base de l'émetteur (R2) :10 kOhms

Courant - Coupe du collecteur (maximum) :100nA (ICBO)

Puissance maximale :300mW

Emballage / boîtier :TO-226-3, corps du short TO-92-3

Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :30 @ 5mA, 5V

Numéro du produit de base :Le FJNS32

Description :Trans Prebias NPN 300 MW à 92 S

Le stock :En stock

Méthode de transport :LCL, AIR, FCL, express

Conditions de paiement :LC, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

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Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW à travers le trou TO-92S

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Processeur à microcontrôleur