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M. la partie # :RN4987FE, LF ((CT)
Produit de fabrication :Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation (en anglais seulement)
Définition :Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'UE.
Le stock :56000
Catégorie de produits :Transistors - bipolaires (BJT) - rangées, Pré-décentrées
Courant - collecteur (Ic) (maximum) :100 mA
Courant - Coupe du collecteur (maximum) :500 nA
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce :80 @ 10 mA, 5 V
Fréquence - Transition :250 MHz, 200 MHz
Type de montage :Monture de surface
Emballage / boîtier :Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
Puissance maximale :100mW
Statut du produit :Actif
Résistance - Base (R1) :10kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :47 kOhms
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :ES6
Type de transistor :1 NPN, 1 PNP - Pré-biasé (double)
Vce saturation (max) @ Ib, Ic :300 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) :50 V
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