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BC858B,215

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Ville:hong kong
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BC858B,215

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Polarité de transistor :PNP
Catégorie de produits :Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage :Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal :- 100 mA
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :30 V
Emballage / boîtier :Le SOT-23-3
Température de fonctionnement maximale :+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain :100 MHz
Configuration :Unique
Tension de collecteur-base VCBO :30 V
Tension basse VEBO d'émetteur :5 V
Produit de fabrication :Nexperia
Définition :Transistors bipolaires - BJT TRANS GP TAPE-7
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