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Catégorie de produits :Transistor MOSFET
Vgs (maximum) :± 20 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :Le nombre de sièges est déterminé par le nombre de sièges.
Type de FET :N-canal
Type de montage :Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :Le système de régulation de l'énergie
Produit de fabrication :Infineon Technologies
Quantité minimum :4800
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) :4.5V, 10V
Température de fonctionnement :-40°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET :-
Série :HEXFET®
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :Pour les appareils à commande numérique
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :MX DE DIRECTFET™
Statut de la partie :Actif
emballage :Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :1.7 mOhm @ 32A, 10V
Dissipation de puissance (maximum) :2.8W (Ta), 89W (Tc)
Emballage / boîtier :MX isométrique de DirectFET™
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id :2.35V @ 100µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :30 V
Définition :Le débit de CO2 est supérieur ou égal à la valeur de l'énergie utilisée.
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