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Catégorie de produits :Transistor MOSFET
Vgs (maximum) :± 20 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C :120A (TC)
Type de FET :N-canal
Type de montage :À travers le trou
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs :120 nC à 10 V
Produit de fabrication :Infineon Technologies
Quantité minimum :1
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) :10 V
Température de fonctionnement :-55°C à 175°C (TJ)
Caractéristique de FET :-
Série :HEXFET®
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds :4520pF @ 50V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur :TO-262
Statut de la partie :Actif
emballage :Tuyaux
Rds On (Max) @ Id, Vgs :4,2 mOhms à 75 A, 10 V
Dissipation de puissance (maximum) :230W (TC)
Emballage / boîtier :TO-262-3 mène longtemps, je ² PAK, TO-262AA
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id :4V @ 150µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :60 V
Définition :MOSFET N-CH 60V 120A à 262
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