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Numéro de pièce :FDMB3800N
Produit de fabrication :Sanyo Semi-conducteur/ON Semi-conducteur
Définition :Fiche de données FDMB3800N pdf et Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays détails du produit de stock d
Cycle de vie :Nouveau de ce fabricant
Fiche de données :Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
Livraison :DHL, UPS, FedEx, courrier recommandé
Paiement :T/T Paypal Visa Monégramme Western Union
En savoir plus :FDMB3800N Pour plus d'informations
La CEAD :Demandez des modèles CAO gratuits
Prix (en dollars américains) :Je ne veux pas de ça.95
Nom de l'entreprise :Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor.
Tenssion est l'un des distributeurs.
Une large gamm
Montagne :Monture de surface
Taille :750 μm
Le poids :- 47 mg
Temps de montée :5 ans
Résistance :mΩ 40
Vgs nominal :1.9 V
Capacité d'entrée :465 pF
Voltage de seuil :1.9 V
Nombre d'éléments :2
Temps de retard d'arrêt :21 NS
Dissipation de puissance maximale :1,6W
Min Température de fonctionnement :-55 °C
Porte à la tension de source (Vgs) :20 V
Température maximale de jonction (Tj) :150 °C
Vidangez à la tension claque de source :30 V
Catégorie des produits :Semi-conducteurs discrets - Transistors - FET, MOSFET - Ensembles
Quantité utilisée :4484 En stock
Applications :Module de communication de données
Centre de données et informatique d'entreprise
Largeur :1.9 mm
Longueur :3 millimètres
Temps d'automne :5 ans
Rds au maximum :mΩ 40
Programme B :8541290080
Nombre de broches :8
Dissipation du pouvoir :1,6W
Nombre de chaînes :2
Temps de retard d'ouverture :8 ans
Configuration d'élément :Dual
Température maximale de fonctionnement :150 °C
Vidangez à la résistance de source :mΩ 32
Courant continu de drain (identification) :4,8 A
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) :30 V
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