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Services de gestion d'entreprise de route en soie de Pékin Cie., Ltd

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FDT439N

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :1V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :TO-261-4, TO-261AA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :15 nC @ 4.5 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :45mOhm @ 6.3A, 4.5V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :2.5V, 4.5V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :30 V

Vgs (Max) :±8V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :500 pF @ 15 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :-

Supplier Device Package :SOT-223-4

Mfr :onsemi

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :6.3A (Ta)

Power Dissipation (Max) :3W (Ta)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :FDT439

Description :MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4

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Mots clés du produit:

BF998WR

BF991

BF998

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FDT439N

But spécial audio

Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé

DSP (processeurs de signaux numériques)

FPGAs (réseau prédiffusé programmable de champ)

IC spécialisés

Grille magnétique

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