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IXTQ36N30P

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :5.5V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :TO-3P-3, SC-65-3

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :70 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :110mOhm @ 18A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :10V

Package :Tube

Drain to Source Voltage (Vdss) :300 V

Vgs (Max) :±30V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :2250 pF @ 25 V

Mounting Type :Through Hole

Series :PolarHT™

Supplier Device Package :TO-3P

Mfr :IXYS

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :36A (Tc)

Power Dissipation (Max) :300W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :IXTQ36

Description :MOSFET N-CH 300V 36A TO3P

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Mots clés du produit:

MAX667ESA-T

PMF780SN

MAX667ESA+T

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IXTQ36N30P

But spécial audio

Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé

DSP (processeurs de signaux numériques)

FPGAs (réseau prédiffusé programmable de champ)

IC spécialisés

Grille magnétique

IXTQ36N30P

MAX667ESA-T

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