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Services de gestion d'entreprise de route en soie de Pékin Cie., Ltd

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Pays / Région:china

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FDS86106

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :4V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :4 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :105mOhm @ 3.4A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :6V, 10V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :100 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :208 pF @ 50 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :PowerTrench®

Supplier Device Package :8-SOIC

Mfr :onsemi

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :3.4A (Ta)

Power Dissipation (Max) :5W (Ta)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :FDS86

Description :MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC

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Mots clés du produit:

DAF 91647

DAF 696002

msd 8226

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FDS86106

But spécial audio

Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé

DSP (processeurs de signaux numériques)

FPGAs (réseau prédiffusé programmable de champ)

IC spécialisés

Grille magnétique

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