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STW56N65M2

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :4V @ 250µA

Operating Temperature :150°C (TJ)

Package / Case :TO-247-3

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :93 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :62mOhm @ 24.5A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :10V

Package :Tube

Drain to Source Voltage (Vdss) :650 V

Vgs (Max) :±25V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :3900 pF @ 100 V

Mounting Type :Through Hole

Series :MDmesh™ M2

Supplier Device Package :TO-247-3

Mfr :STMicroelectronics

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :49A (Tc)

Power Dissipation (Max) :358W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :STW56

Description :MOSFET N-CH 650V 49A TO247

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Mots clés du produit:

STW57N65M5

w211 e63

E-L6598D013TR

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STW56N65M2

But spécial audio

Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé

DSP (processeurs de signaux numériques)

FPGAs (réseau prédiffusé programmable de champ)

IC spécialisés

Grille magnétique

STW56N65M2

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