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SUM70030E-GE3

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

FET Feature :-

Vgs(th) (Max) @ Id :4V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 175°C (TJ)

Package / Case :TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :214 nC @ 10 V

Rds On (Max) @ Id, Vgs :2.88mOhm @ 30A, 10V

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :7.5V, 10V

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Drain to Source Voltage (Vdss) :100 V

Vgs (Max) :±20V

Product Status :Active

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :10870 pF @ 50 V

Mounting Type :Surface Mount

Series :TrenchFET®

Supplier Device Package :TO-263 (D²Pak)

Mfr :Vishay Siliconix

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :150A (Tc)

Power Dissipation (Max) :375W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :SUM70030

Description :MOSFET N-CH 100V 150A TO263

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Mots clés du produit:

XC3S1600E-4FGG484I

MAX5904USA+

XC3S1400A-4FG484C

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SUM70030E-GE3

But spécial audio

Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé

DSP (processeurs de signaux numériques)

FPGAs (réseau prédiffusé programmable de champ)

IC spécialisés

Grille magnétique

SUM70030E-GE3

XC3S1600E-4FGG484I

MAX5904USA+

XC3S1400A-4FG484C