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SI3430DV-T1-E3

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Category :Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :6.6 nC @ 10 V

FET Feature :-

Product Status :Active

Mounting Type :Surface Mount

Package :Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®

Series :-

Vgs (Max) :±20V

Vgs(th) (Max) @ Id :2V @ 250µA (Min)

Supplier Device Package :6-TSOP

Rds On (Max) @ Id, Vgs :170mOhm @ 2.4A, 10V

Mfr :Vishay Siliconix

Operating Temperature :-55°C ~ 150°C (TJ)

FET Type :N-Channel

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :6V, 10V

Power Dissipation (Max) :1.14W (Ta)

Package / Case :SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Drain to Source Voltage (Vdss) :100 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :1.8A (Ta)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

Base Product Number :SI3430

Description :MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP

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Mots clés du produit:

AT93C46A-SI2.7

EPM3032ATI44-4N

EPM3032ATI44-7N

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SI3430DV-T1-E3

But spécial audio

Convertisseurs de C.C à C.A., commutateurs en différé

DSP (processeurs de signaux numériques)

FPGAs (réseau prédiffusé programmable de champ)

IC spécialisés

Grille magnétique

SI3430DV-T1-E3

AT93C46A-SI2.7

EPM3032ATI44-4N

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